PID de investigadores del laboratorio de Nano-electrónica fue elegido el mejor de 2019
La IRPS es la conferencia internacional más importante, en la que se premia a los trabajos novedosos y originales en el área de la fiabilidad de la microelectrónica.
El paper “Spatio-Temporal Defect Generation Process in Irradiated HfO2 MOS Stacks: Correlated versus Uncorrelated Mechanisms”, galardonado por el IRPS 2019 Best Paper Award, fue desarrollado por el laboratorio multidisciplinario de Nano-electrónica de la Facultad, cuyo proyecto contó con el apoyo y financiamiento del FONCYT (Fondo para la Investigación Científica y Tecnológica) del Ministerio de Ciencia, Tecnología e Innovación; junto al financiamiento de Proyectos de Investigación Plurianuales (PIP) del CONICET (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas), y la UTNBA.
