El Laboratorio de Nanoelectrónica presentó un trabajo en un Simposio Internacional

El Laboratorio de Nanoelectrónica presentó la investigación “Impact of forming gas annealing on the degradation dynamics of Ge-Based MOS stacks”, elaborado por los ingenieros Fernando Aguirre, Sebastián Pazos, Sivan Fadida, Roy Winter, Moshe Eizenberg y el Dr. Felix Palumbo, director del Laboratorio.

El trabajo es el resultado de una colaboración entre el Laboratorio de la Facultad con el Instituto Technion, de Israel, lugar de trabajo del Sivan Fadida, Roy Winter y Moshe Eizenberg.

IRPS es, desde 1962, una de las conferencias más prestigiosas a nivel mundial, en la que Ingenieros y científicos presentan trabajos novedosos en el área de fiabilidad de semiconductores.

“El trabajo que presenté, relacionado a los aspectos de fiabilidad del Germanio como material de sustrato para futuras tecnologías CMOS, tuvo críticas positivas. Por otro lado, tuve la oportunidad de vincularme con algunos de los actores más relevantes del área de fiabilidad en semiconductores, lo cual podría ser sumamente provechoso para próximos trabajos del laboratorio”, destacó el Ing. Aguirre.

Éste simposio permite que los asistentes profundicen sus conocimientos en múltiples aspectos de la confiabilidad en nanoelectronica y es una oportunidad para el desarrollo de relaciones de trabajo y colaboraciones con especialistas de todas partes del mundo.

Para el Ing. Aguirre, “como desafío inmediato apuntamos a repetir la participación en la próxima edición de IRPS-IEEE, en abril de 2019. Hemos continuado nuestro trabajo en el área de fiabilidad de dispositivos semiconductores durante 2018 y esperamos poder repetir el logro. Quiero destacar que esto no sería factible sin las colaboraciones internacionales que hace posible el director de laboratorio, Dr. Félix Palumbo”.