La UTNBA y la IEEE organizan un workshop sobre el uso del laboratorio de nano-electrónica
Se realizarán charlas informativas y la exposición de proyectos de investigación del laboratorio de nano-electrónica de la Facultad.
El próximo jueves 15 y viernes 16 de agosto se realizará, en la sede Medrano de la UTN Buenos Aires, el “Nano-electronics open lab technical workshop”, organizado en conjunto por el Laboratorio de Nanoelectrónica de la UTN Buenos Aires, el Capítulo Conjunto #3 del Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) Sección Argentina, y la rama estudiantil IEEE-UTNBA.
El evento, dirigido a miembros de IEEE y a la comunidad tecnológica en general, contará con seminarios, charlas plenarias y la exposición de proyectos de investigación del laboratorio de nano-electrónica de la Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías (UIDI) de la Facultad.
Los seminarios estarán orientados a la introducción de líneas de investigación como: “Dispositivos electrónicos – Degradación y ruptura de óxidos delgados”, “Efectos de la radiación en IC – Fiabilidad de IC”, “Diseño para fiabilidad en RF-IC – Conmutación resistiva Materiales 2D”.
Durante las charlas se presentarán los resultados recientes más importantes y se expondrán posters del grupo de trabajo. Entre los expositores destacados se encuentran Fernando Silveira, de la Universidad de la Republica (Uruguay); Pedro Julian, de la Universidad Nacional del Sur (Bahía Blanca); Enrique Miranda, de la Universitat Autònoma de Barcelona. Brindarán charlas, además, el Dr Felix Palumbo, el Ing. Sebastian Pazos, y el Ing. Fernando Aguirre.
También se realizarán actividades de laboratorio con el objetivo de difundir las múltiples utilidades del laboratorio de nano-electrónica para la realización de tesis doctorales. Entre ellas se encuentran:
Proceso de Fabricación con litografía
La actividad permitirá introducir a los participantes a las técnicas de fabricación de micro-dispositivos, como así también de las principales características de una sala limpia. Para finalizar, se desarrollará una revisión de las principales técnicas disponibles en una sala limpia (preparación del sustrato, litografía, técnicas de deposición y grabado), y su caracterización a nivel de oblea.
Caracterización eléctrica de nano-estructuras MOS
Se mostrará cómo funcionan las facilidades para caracterización eléctrica de transistores MOSFET. Caracterización en DC de dispositivo MOSFET en tecnología de 130nm. Curvas ID-VG, ID-VD.
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