Nanoelectrónica; de la UTN Buenos Aires al mundo

Por primera vez, un trabajo de investigación realizado en el Laboratorio de Nanoelectrónicade UTN. BA es reconocido a nivel internacional. El póster titulado “Trapping and de-trappingeffects of bordertraps in MG/HK/InGaAsstacks” será presentado en la conferencia WoDiM 2016 -19th Workshop on Dielectrics in Microelectronics-, que tendrá lugar en Catania, Italia, del 27 al 30 de Junio.

Los autores del trabajo son: el Dr. Félix Palumbo, Director del Laboratorio de Nanoelectrónica e investigador independiente del CONICET, el Ing. Sebastián Pazos, quien está realizando su doctorado con una beca del CONICET y el Sr. Fernando Aguirre. Además, contó con la colaboración de los investigadores R. Winter, I. Krylov y M. Eizenberg,pertenecientes al“Department of MaterialsScience and Engineering”, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel.

El Dr. Félix Palumbo asistirá al evento, con el apoyo de la Secretaría de Ciencia, Tecnología e Innovación Productiva de la UTN BA., para realizar la presentación del póster, cuyo tema surge a partir de la utilización de los nuevos materiales semiconductores -alternativos al silicio- para el canal del transistor MOSFET. Sin embargo, como la presencia de defectos en las interfaces impide la utilización de estos semiconductores, el trabajo se propone investigar los efectos de atrapamiento en estructuras metal / Al₂O₃/InGaAs-n mediante las características de capacidad-tensión a distintas temperaturas, desde -190ºC a 27ºC.